MTE710T
A SSD MTE710T M.2 da Transcend utiliza a interface PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 e suporta especificações NVM Express (NVMe) 1.4, alcançando velocidades de transferência sem precedentes. O MTE710T apresenta a tecnologia 3D NAND de próxima geração, que permite o empilhamento vertical de 112 camadas de chips 3D NAND Flash. Em comparação com a tecnologia 3D NAND de 96 camadas, este avanço da densidade melhora consideravelmente a eficiência do armazenamento, e a sua cache DRAM integrada permite um acesso mais rápido. Equipado com tecnologia Corner Bond e conectores PCB de 30 µ”, o MTE710T foi submetido a testes internos extensivos para assegurar a fiabilidade em aplicações chave, e possui uma classificação de durabilidade de 3000 ciclos de escrita / limpeza de dados, bem como uma temperatura de funcionamento alargada que varia de -20℃ a 75 ℃.
CARACTERÍSTICAS DE FIRMWARE
- Suporta comandos NVM
- Tecnologia de cache SLC
- Dynamic thermal throttling
- Função LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
- Recolha Avançada de Lixo
- Função S.M.A.R.T. aprimorada para durabilidade
- Comando TRIM um melhor desempenho
- Criptografia de disco inteiro com Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
CARACTERÍSTICAS DE HARDWARE
- Em conformidade com os padrões RoHS
- Cumpre com as especificações PCI Express 3.1
- Cumpre com as especificações NVM Express 1.4
- Fator de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móveis
- Interface PCIe Gen 4 x 4
- Módulo DDR4 cache integrado
- Resistência: 3K P/E (Programar/Eliminar) ciclos garantidos
- Os principais componentes são reforçados de fábrica com a tecnologia Corner Bond
- PCB conta com pinos de ligação dourados com espessura de 30µ
- Fiabilidade operativa prometida numa ampla gama de temperaturas (de -20 °C a 75 °C)
- Suporta o software Scope Pro da Transcend
ESPECIFICAÇÕES
APARÊNCIA |
|
DIMENSÕES | 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″) |
PESO | 10 g (0.35 oz) |
FATOR DE FORMA | M.2 |
TIPO M.2 | 2280-D2-M (Dupla face) |
INTERFACE |
|
INTERFACE DE BUS | NVMe PCIe Gen4 x4 |
ARMAZENAMENTO |
|
TIPO DE FLASH | Flash 3D NAND |
CAPACIDADE | 256 GB/
512 GB/ 1 TB/ 2 TB |
AMBIENTE DE FUNCIONAMENTO |
|
TENSÃO DE FUNCIONAMENTO | 3.3V±5% |
TEMPERATURA DE FUNCIONAMENTO | Extentida
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
HUMIDADE | 5% ~ 95% |
CHOQUE | 1500 G, 0.5 ms, 3 eixos |
VIBRAÇÃO (A FUNCIONAR) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequencia) |
ALIMENTAÇÃO |
|
CONSUMO DE ENERGIA (A FUNCIONAR) | 4.9 Watt(s) |
CONSUMO DE ENERGIA (IDLE) | 1.52 Watt(s) |
DESEMPENHO |
|
LEITURA / ESCRITA SEQUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) | Lectura: Até 3,800 MB/s Escritura: Até 3,200 MB/s |
LEITURA / ESCRITA ALEATORIA 4K (IOMETER) | Lectura: Até 500,000 IOPS Escritura: Até 560,000 IOPS |
TEMPO MÉDIO ENTRE FALHAS (MTBF) | 5,500,000 hora(s) |
TERABYTES ESCRITO (TBW) | Até 1,700 TBW |
NUMERO DE DISCOS ESCRITO POR DIA (DWPD) | 1.55 (3 anos) |
NOTA | · A velocidade pode variar devido ao host, hardware, software, uso e capacidade de armazenamento.
· A carga de trabalho usada para qualificar o DWPD pode ser diferente em comparação com sua carga de trabalho real, devido a diferenças no hardware, software, uso e capacidade de armazenamento do host. · Terabytes Written (TBW) indica resistência sob a capacidade mais alta. |